「Physics of Semiconductor Devices」第三版，美國亞馬遜網路書店讀者四顆星好評推薦，中文版獨家上市！

　　中文版為有利讀者閱讀，特分為上下冊，上冊囊括本書最精采實用的第一至七章，適合大學相關科系高年級及半導體從業人員使用。

　　本書為施敏教授與Kwok K.Ng 博士所撰寫的「Physics of Semiconductor Devices」（Wiley）第三版的中譯本。譯者為中山大學物理系張鼎張教授、交通大學光電系劉柏村副教授

　　本書適用電機、電子、物理、材料等科系大學高年級生及研究生修習半導體相關課程使用。在半導體元件領域中，樹立了先進的研究以及參考的標準，現在第三版的內容徹底更新並將架構重新組織，以反應元件概念以及品質上的巨大進展，第三版維持最詳細且徹底的資料在最重要的半導體元件上，使讀者立即獲得重要的元件物理知識以及詳細的元件特性，包含主要的雙載子、場效、微波、光子以及偵測元件，為了採用及參考本書的研究生需要設計，新版的內容包含：

1. 將最新的發展徹底更新。
2. 新的元件例如三維MOSFETs、MODETs、共振穿隧二極體、半導體偵測器、量子Cascade雷射、單電子電晶體、real-space transfer以及更多的元件。
3. 將材料完全重新組織。
4. 在每一章的後面設立問題集。
5. 所有的圖以最高的品質重新繪製。

作者簡介

施敏

　　施敏教授獲台灣大學學士學位，美國華盛頓大學碩士學位以及美國史丹佛大學電機博士學位。1963至1989年在貝爾實驗室服務，1990年任教於國立交通大學電子系。現任國立交通大學榮譽講座教授以及美國史丹福大學電機系顧問教授。他對半導體元件有基礎性以及前瞻性的貢獻;特別是發明了非揮發性記憶體（包括EEPROM以及快閃記憶體）。曾發表科技論文超過200篇，以及撰寫與主編專業書籍12冊。其中所著的【半導體元件物理】（Wiley）?近代工程和應用科學中被引用次數最多的文獻（依ISI資料超過一萬六千次）。施敏教授獲選為IEEE Fellow，中央研究院院士及美國國家工程院院士等。

伍國珏

　　1975年於美國羅格斯大學以及1979年於哥倫比亞大學分別獲得電機學士與博士學位。1980年服務於AT&T的貝爾實驗室（1996年成為朗訊科技的一部份），2001年服務於美商Agere公司（位於賓夕法尼亞州的艾倫鎮），自2007年起在Semiconductor Research Corporation服務。伍博士擔任IEEE Electron Device Letters 的編輯以及IEEE Press聯絡人，為【半導體元件完全指南】第二版（Wiley）的作者。

譯者

張鼎張

　　現任國立中山大學物理系教授，擅長半導體元件物理、積體電路製程以及薄膜電晶體平面顯示器技術，曾獲徐有庠奈米科技講座、教育部產學合作獎及中山發明獎等獎項，近年已發表200餘篇SCI國際期刊論文以及獲得100餘項國內外發明專利。

劉柏村

　　目前任教於國立交通大學光電工程學系，專長包括:光電顯示科技技術、積體電路技術、奈米電子以及半導體記憶體元件技術。曾榮獲96年中國電機工程學會「優秀青年電機工程師獎」，國際電機電子工程師學會資深會員（IEEE Senior Member），並且受邀為美國史丹福大學電機系訪問教授。在科技人才培育與教學方面，曾指導學生研究榮獲「第十二屆科林論文獎」碩士論文頭等獎，榮獲田家炳傑出教學獎、國立交通大學電機學院傑出教學獎，以及獲選為國立交通大學優良教學教師。

目錄
導論

第一部分 半導體物理

第一章 半導體物理及特性—回顧篇

1.1 簡介
1.2 晶體結構
1.3 能帶與能隙
1.4 熱平衡狀態下的載子濃度
1.5 載子傳輸現象
1.6 聲子、光和熱特性
1.7 異質接面與奈米結構
1.8 基本方程式與範例

第二部分 元件建構區塊

第二章 p-n接面

2.1 簡介
2.2 空乏區
2.3 電流-電壓特性
2.4 接面崩潰
2.5 暫態行為與雜訊
2.6 終端功能
2.7 異質接面

第三章 金屬-半導體接觸

3.1 簡介
3.2 位障的形成
3.3 電流傳輸過程
3.4 位障高度的量測
3.5 元件結構
3.6 歐姆接觸

第四章 金屬-絕緣體-半導體電容器

4.1 簡介
4.2 理想MIS電容器
4.3 矽MOS電容器

第三部分 電晶體

第五章 雙載子電晶體(BJT)

5.1 簡介
5.2 靜態特性
5.3 微波特性
5.4 相關元件結構
5.5 異質接面雙載子電晶體

第六章 金氧半場效電晶體(MOSFET)

6.1 簡介
6.2 基本元件特性
6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件
6.4 元件微縮與短通道效應
6.5 MOSFET結構
6.6 電路應用
6.7 非揮發性記憶體元件
6.8 單電子電晶體

第七章 接面場效電晶體(JFET)、金屬半導體場效電晶體(JFET)以及調變摻雜場效電晶體(MODFET)

7.1 簡介
7.2 JFET和MESFET
7.3 MODFET

附錄
符號表
國際單位系統(SI Units)
單位前綴詞
希臘字母
物理常數
重要半導體的特性
Si與GaAs之特性
SiO2 與Si3N4 之特性

索引

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