內容簡介
下冊目錄：
導論 第四部分 負電阻以及功率元件
第八章 穿隧元件
8.1 簡介
8.2 穿隧二極體
8.3 其他相關的穿隧元件
8.4 共振穿隧二極體
第九章 衝擊離子化累增穿巡二極體
9.1 簡介
9.2 靜態特性
9.3 動態特性
9.4 功率與效率
9.5 雜訊現象
9.6 元件設計與性能
9.7 BARITT二極體
9.8 TUNNETT二極體
第十章 電子轉移與真實位置空間轉換元件
10.1 簡介
10.2電子轉移元件
10.3位置空間轉換元件
第十一章 閘流器和功率元件
11.1 簡介
11.2 閘流體基本特性
11.3 閘流體的種類
11.4 其他功率元件
第五部分 光子元件和感應器
第十二章 發光二極體和雷射
12.1 簡介
12.2 輻射躍遷
12.3 發光二極體(LED)
12.4 雷射物理
12.5 雷射操作特性
12.6特殊雷射
第十三章 光感測器和太陽能電池
13.1 簡介
13.2. 光導體
13.3. 光二極體
13.4. 累增光二極體
13.5. 光電晶體
13.6. 電荷耦合元件 (CCD)
13.7. 金屬－半導體－金屬 光感測器
13.8. 量子井紅外線偵測器
13.9. 太陽能電池
第十四章 感應器
14.1簡介
14.2 熱感測器
14.3 機械感測器
14.4 磁感測器
附錄 符號表
國際單位系統 (SI Units)
單位前綴詞
希臘字母
物理常數
重要半導體的特性
Si與GaAs之特性
SiO2與Si3N4之特性
索引
作者簡介
作者：
施敏教授
施敏教授獲台灣大學學士學位，美國華盛頓大學碩士學位以及美國史丹佛大學電機博士學位。1963至1989年在貝爾實驗室服務，1990年任教於國立交通大學電子系。現任國立交通大學榮譽講座教授以及美國史丹福大學電機系顧問教授。他對半導體元件有基礎性以及前瞻性的貢獻;特別是發明了非揮發性記憶體（包括EEPROM以及快閃記憶體）。曾發表科技論文超過200篇，以及撰寫與主編專業書籍12冊。其中所著的【半導體元件物理】（Wiley）?近代工程和應用科學中被引用次數最多的文獻（依ISI資料超過一萬六千次）。施敏教授獲選為IEEE Fellow，中央研究院院士及美國國家工程院院士等。
伍國珏博士
1975年於美國羅格斯大學以及1979年於哥倫比亞大學分別獲得電機學士與博士學位。1980年服務於AT&T的貝爾實驗室（1996年成為朗訊科技的一部份），2001年服務於美商Agere公司（位於賓夕法尼亞州的艾倫鎮），自2007年起在Semiconductor Research Corporation服務。伍博士擔任IEEE Electron Device Letters 的編輯以及IEEE Press聯絡人，為【半導體元件完全指南】第二版（Wiley）的作者。
譯者
張鼎張教授
現任國立中山大學物理系教授，擅長半導體元件物理、積體電路製程以及薄膜電晶體平面顯示器技術，曾獲徐有庠科技講座及教育部產學合作獎等獎項，近年已發表200餘篇SCI國際期刊論文以及獲得100餘項國內外發明專利。
劉柏村副教授
目前任教於國立交通大學光電工程學系，專長包括:光電顯示科技技術、積體電路技術、奈米電子以及半導體記憶體元件技術。曾榮獲96年中國電機工程學會「優秀青年電機工程師獎」，國際電機電子工程師學會資深會員（IEEE Senior Member），並且受邀為美國史丹福大學電機系訪問教授。在科技人才培育與教學方面，曾指導學生研究榮獲「第十二屆科林論文獎」碩士論文頭等獎，榮獲田家炳傑出教學獎、國立交通大學電機學院傑出教學獎，以及獲選為國立交通大學優良教學教師。
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