內容簡介
本書是施敏教授與梅凱瑞（Gary S.May）教授所合著，美國Wiley公司於2004年出版之Fundamentals of Semiconductor Fabrication之中譯本。本書特色包括:
一、清楚解釋從晶體成長到形成積體元件與電路的製造過程中，所有主要步驟的理論與實作層面的重點。
二、各章穿插附有題解的範例，方便學生自修或教師教學使用。
三、各章皆列出學習目標與重要觀念的總結，並附習題為讀後作業。
三、適合作為物理、化學、電機工程、化學工程和材料科學等系所之大四或碩一階段之教材。
四、可配合學校實驗室進行相關實作教學。
五、適合做為半導體產業界工程師與科學家的參考資料。
內容依一般製作程序規劃，包括矽氧化、微影與蝕刻技術、擴散與離子植入、廣汎、概括的主體，並以專篇串接各種單一製程步驟，說明關鍵製程技術、積體元件和微機電系統的製作流程。
另，介紹高層面積體電路製造的問題，包括電性測試、構裝、製程管制和良率，以及半導體產業未來之發展與挑戰。
---------------------------------------- 目錄
第一章 簡介
1.1 半導體材料
1.2 半導體元件
1.3 半導體製程技術
1.4 基本製程技術
1.5 總結
第二章 晶體成長
2.1 從熔融液之矽晶成長
2.2 浮帶矽晶製程
2.3 砷化鎵晶體成長技術
2.4 材料特性
2.5 總結
第三章 矽氧化
3.1 熱氧化過程
3.2 氧化過程中雜質的再分佈
3.3 二氧化矽層的遮罩特性
3.4 氧化層的品質
3.5 氧化層厚度的量測
3.6 氧化模擬
3.7 總結
第四章 微影
4.1 光學微影
4.2 下世代的微影技術
4.3 微影模擬
4.4 總結
第五章 蝕刻
5.1 濕式化學蝕刻
5.2 乾式蝕刻
5.3 蝕刻模擬
5.4 總結
第六章 擴散
6.1 基本擴散製程
6.2 外質擴散
6.3 橫向擴散
6.4 擴散模擬
6.5 總結
第七章 離子佈值
7.1 佈值離子射程
7.2 佈植損壞與退火
7.3 佈植相關製程
7/4 離子佈植模擬
7.5 總結
第八章 薄膜沉積
8.1 磊晶成長技術
8.2 磊晶層的結構與缺陷
8.3 介電質沉積
8.4 複晶矽沉積
8.5 金屬鍍膜
8.6 沉積模擬
8.7 總結
第九章 製程整合
9.1 被動組件
9.2 雙載子電晶體技術
9.3 金氧半場效應電晶體技術
9.4 金半場效應電晶體技術
9.5 微機電技術
9.6 製程模擬
9.7 總結
第十章 積體電路製造
10.1 電性測試
10.2 構裝
10.3 統計製程管制
10.4 統計實驗設計
10.5 良率
10.6 電腦整合製造
10.7 總結
第十一章 未來趨勢與挑戰
11.1 整合之挑戰
11.2 系統晶片
11.3 總結
附 錄
A. 符號表
B. 國際單位系統
C. 單位字首
D. 希臘字母
E. 物理常數
F. 300 K 時矽和砷化鎵的主要特性
G. 錯誤函數的一些性質
H. 基本氣體動力學原理
I. SUPREM 指令
J. 執行 PROLITH
K. t分布之百分比點
L. F分布之百分比點
索引
作者簡介
施敏原著
施院士為台大電機工程學士、美國史丹佛大學博士，現任交通大學教授。他對現代微電子科技（ Microelectronics）的發展有重大貢獻，是半導體元件物理及製程技術的權威。他在經濟部電子工業小組委員任內，協助成立工研院電子所，對開拓我國電子工業有前瞻性的建樹。
姓名 中 文：施 敏
英 文：Simon M. Sze
出生年月日 （西元）1936 年3月 21日
當選院士屆數 第20 屆
學歷 國立台灣大學電機系學士（1957 ）
美國華盛頓大學電機系碩士（ 1960）
美國史坦福大學電機系博士（1963）
經歷 美國貝爾實驗室研究（1963-1989 ）
國立交通大學電子工程系教授（ 1990 － ）
國立交通大學電子與資訊研究中心主任（ 1990-1996 ）
國科會國家毫微米元件實驗室主任（1998 － ）
專長 半導體元件物理、積體電路製程技術
曾獲得之學術榮譽
中山學術獎（1969 ）
IEEE J. J. Ebers獎（ 1993）
中央研究院院士（1994）
美國國家工程院院士（1995 ）
行政院傑出科技榮譽獎（ 1997）
教育部國家講座（1998-2001）
中華民國斐陶斐傑出成就獎（1998 ）
教育部國家講座（ 2001-2003）
現職 國立交通大學榮譽講座教授兼「國家奈米元件實驗室」主任
目次
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